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思旺电子推出大电流低压差双极工艺LDO-SE8119

2008-09-04



思旺电子推出大电流低压差双极工艺
LDOSE8119


      Aug 8th , 2008 –今天,专业电源管理IC供应商思旺电子(Seaward Electronics Inc.)推出大电流低压差的双极工艺LDO-SE8119。SE8119负载电流在800mA时,压差只有1.3V,因此SE8119非常适合应用于数码相机,SCSI终端,5V到3.3V的电压转换。

      SE8119内部集成温度补偿电路,因此在-40℃到125℃这样宽的范围内,芯片仍旧可以正常工作。然而一旦环境温度过高,达到175℃(TYP),芯片将进入过流保护状态,以避免芯片遭受不可恢复的损坏。同时芯片内部集成过流保护功能,不会因为负载电流过大和输出端短路而造成芯片的损坏。

      SE8119具有出色的稳定性,当输入电压或者负载电流波动时,芯片的输出电压比较稳定。如下所示为SE8119的输入瞬态响应以及负载瞬态响应的测试图:


SE8119的主要特点:

l         低压差

l         负载电流可达到800mA

l         输入电压范围宽

l         内部集成过温保护和过流保护

l         ESD可耐静电3KV

l         产品不含铅、符合RoHS标准

包装、定价和供应  

      思旺的SE8119采用SOT-223-3L和SOT89-3L封装。

关于思旺电子公司

      思旺电子,是一个年轻而充满活力的专门从事纯模拟电路和数模混合集成电路设计的高新技术企业,设计电源管理器件的各种应用. 思旺的尖端产品应用于无线局域网和手机、数码相机、手机、充电器、电脑、、MPEG4、MP3、便携DVD、闪存器件. 思旺的产品在美国硅谷和中国北京设计. 在台北(台湾)、北京(中国)、深圳(中国)、上海(中国)、旧金山(美国)设有销售办公室